Manfaat Kapasitor Dalam Kehidupan Sehari-hari

A. Kapasitor dan Manfaatnya dalam Kehidupan Sehari-hari

Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan listrik dengan cara mengumpulkan ketidakseimbangan internal dari muatan listrik. Kondensator memiliki satuan yang disebut Farad dari nama Michael Faraday. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum, keramik, gelas dan lain-lain. Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik, maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung kutup negative dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup positif, karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Muatan elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujung-ujung kakinya. Di alam bebas, phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di awan.  Zat dielektrik yang digunakan untuk menyekat kedua penghantar dapat digunakan untuk membedakan jenis kapasitor. Beberapa kapasitor menggunakan bahan dielektrik berupa kertas, mika, plastik cairan dan lain sebagainya.

Kapasitor terdiri dari beberapa tipe, tergantung dari bahan dielektriknya. Untuk lebih sederhana dapat dibagi menjadi 3 bagian, yaitu kapasitor electrostatic, electrolytic dan electrochemical.

1. Kapasitor Electrostatic

Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari keramik, film dan mika. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF, yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi. Termasuk kelompok bahan dielektrik film adalah bahan-bahan material seperti polyester (polyethylene terephthalate atau dikenal dengan sebutan mylar), polystyrene, polyprophylene, polycarbonate,

metalized paper dan lainnya. Mylar, MKM, MKT adalah beberapa contoh sebutan merek dagang untuk kapasitor dengan bahan-bahan dielektrik film. Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar.

2. Kapasitor Electrolytic

Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan - di badannya. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki polaritas, adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk kutup positif anoda dan kutup

negatif katoda. Telah lama diketahui beberapa metal seperti tantalum, aluminium, magnesium, titanium, niobium, zirconium dan seng (zinc) permukaannya dapat dioksidasi sehingga membentuk lapisan metal-oksida (oxide film). Lapisan oksidasi ini terbentuk melalui proses elektrolisa, seperti pada proses penyepuhan emas. Elektroda metal yang dicelup kedalam larutan electrolit (sodium borate) lalu diberi tegangan positif (anoda) dan larutan electrolit diberi tegangan negatif (katoda). Oksigen pada larutan electrolyte terlepas dan mengoksidai permukaan plat metal. Contohnya, jika digunakan Aluminium, maka akan terbentuk lapisan Aluminium-oksida (Al2O3) pada permukaannya.

Dengan demikian berturut-turut plat metal (anoda), lapisan-metal-oksida dan electrolyte(katoda) membentuk kapasitor. Dalam hal ini lapisan-metal-oksida sebagai dielektrik. Dari rumus (2) diketahui besar kapasitansi berbanding terbalik dengan tebal dielektrik. Lapisan metal-oksida ini sangat tipis, sehingga dengan demikian dapat dibuat kapasitor yang kapasitansinya cukup besar.

Karena alasan ekonomis dan praktis, umumnya bahan metal yang banyak digunakan adalah aluminium dan tantalum. Bahan yang paling banyak dan murah adalah Aluminium. Untuk mendapatkan permukaan yang luas, bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Sehingga dengan cara itu dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansinya besar. Sebagai contoh 100uF, 470uF, 4700uF dan lain-lain, yang sering juga disebut kapasitor elco.  Bahan electrolyte pada kapasitor Tantalum ada yang cair tetapi ada juga yang padat. Disebut electrolyte padat, tetapi sebenarnya bukan larutan electrolit yang menjadi elektroda negatif-nya, melainkan bahan lain yaitu manganese-dioksida. Dengan demikian kapasitor jenis ini bisa

memiliki kapasitansi yang besar namun menjadi lebih ramping dan mungil. Selain itu karena seluruhnya padat, maka waktu kerjanya (lifetime) menjadi lebih tahan lama. Kapasitor tipe ini juga memiliki arus bocor yang sangat kecil Jadi dapat dipahami mengapa kapasitor Tantalum menjadi relatif mahal.

3. Kapasitor Electrochemical

Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical. Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu. Pada kenyataanya batere dan accu adalah kapasitor yang sangat baik, karena memiliki kapasitansi yang besar dan arus bocor (leakage current) yang sangat kecil. Tipe kapasitor jenis ini juga masih dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan ringan, misalnya untuk applikasi mobil elektrik dan telepon selular.

Manfaat Kapasitor

1.     Sebagai kopling antara rangkaian yang satu dengan rangkaian yang lain (pada PS = Power Supply)

2.      Sebagai filter dalam rangkaian PS

3.     Sebagai pembangkit frekuensi dalam rangkaian antenna

4.      Untuk menghemat daya listrik pada lampu neon

5.      Menghilangkan bouncing (loncatan api) bila dipasang pada saklar

6.      Memilih panjang gelombang pada radio penerima

7.      Menyimpan muatan atau energi listrik dalam rangkaian penyala elektronik

8.      Untuk memilih frekuensi pada pesawat radio penerima

9.      Untuk menghasilkan arus sesaat yang besar pada komponen blitz

Berikut adalah beberapa berbagai jenis kapasitor dan bagaimana mereka digunakan:

• Air – Sering digunakan dalam rangkaian radio tuning 
• Mylar – Paling sering digunakan untuk sirkuit waktu seperti jam, alarm dan penghitung 
• Kaca – Baik untuk aplikasi tegangan tinggi 
• Keramik – Digunakan untuk tujuan frekuensi tinggi seperti antena, X-ray dan mesin MRI 
• Kapasitor super – Powers listrik dan mobil hibrida

 https://www.youtube.com/watch?v=9CSRWNvknyU

PERKEMBANGAN RAM
(Random Access Memory)
DARI MASA KE MASA

 

Prodi Teknik Komputer

Nama kelompok :

1.   Agus Dwi Wahyudi                ( 1604E144 )

2.   Amallul Huda                          ( 1604E170 )

3.   Arie Fadilah Hanafie              ( 1604E143 )

4.   Asita Akbar Fauzi                   ( 1604E165 )

5.   Fimas Agi Gutomo                 ( 1604E154 )

6.   Muhammad Subekti             ( 1604E171 )

7.   Tito Mega Ayubi                    ( 1604E172 )

8.   Yunita Wardani                      ( 1604E160 )

 

RAM (RANDOM ACCESS MEMORY)

•        RAM adalah singkatan dari Random Access Memory, sebuah bagian dari sistem komputer yang sangat penting.

•        Tidak hanya pada komputer PC maupun notebook saja yang membutuhkan RAM, PDA dan banyak perangkat elektronik lain pun ikut membutuhkan bagian ini.

PERKEMBANGAN RAM

•        Karena saat ini, selain setiap aplikasi memiliki kebutuhan sistem yang berbeda-beda, kehadiran RAM pun sudah sangat beragam.

•        Sedangkan harganya semakin hari semakin terjangkau. Teknologi yang ada pada RAM pun terus berkembang. Mulai ditemukannya DDR, sistem dual-channel,DDR2,dll.

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

•        Pada tahun 1987, RAM jenis FPM (Fast Page Mode) diperkenalkan.

•        FPM juga turut dikenali sebagai DRAM (Dynamic Random Access Memory) .

•        FPM menggunakan modul memori SIMM (Single Inline Memory Module) 30 pin dan SIMM 72 pin.

EDO-RAM (Extended Data Out)

•        Pada tahun 1995, perkembangan teknologi maklumat telah menghasilkan modul memori yang seterusnya iaitu EDO (Extended Data Out). EDO mirip dengan FPM.

•        EDO juga membolehkan CPU mengakses memori 10% hingga 15% lebih banyak dibanding dengan FPM.

 

 

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

•        Pada tahun 1997 SDRAM diperkenalkan, dengan clock speed (kecepatan putaran) 66 MHz,

•        SDRAM ini mampu menghantarkan data dengan kecepatan maksimal 533 MB/det

•        Untuk SDRAM dengan clock speed 133 MHz, data yang dihantarkan dapat mencapai 1,066 GB/det.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory)

•        Membutuhkan tegangan sebesar 3,3 volt dan mempunyai access time sebesar 10ns.

•        Sistem berbasis prosessor Soket 7 seperti Intel Pentium klasik (P75 – P266MMX) maupun kompatibelnya dari AMD, WinChip, IDT, dapat bekerja sangat cepat dengan menggunakan memori PC66 ini.

•        Intel Celeron II generasi awal  masih menggunakan sistem memori SDRAM PC66.

DRRAM (Direct Rambus Dynamic Random Access Memory)

•        Pada tahun 1999 RDRAM diperkenalkan

•        Kualitas yang dimiliki oleh RDRAM mengakibatkan harganya sangat tinggi.

•        Dengan hanya menggunakan tegangan sebesar 2,5 volt, RDRAM yang bekerja pada sistem bus 800MHz

•        RDRAM menggunakan modul yang disebut RIMM

•        RDRAM menggunakan transfer data secara serial pada data bus 16-bit.RDRAM yang paling umum digunakan adalah RDRAM yang memiliki kecepatan 1,6 GB/det.

 

DRRAM (Direct Rambus Dynamic Random Access Memory)

•        ciri khas dari RDRAM adalah adanya fasilitas yang dapat menjaga agar memory tidak panas.

•        Kecanggihan DRDRAM tidak dapat dimanfaatkan oleh sistem chipset dan prosessor pada kala itu sehingga memori ini kurang mendapat dukungan dari berbagai pihak.

•        yang paling banyak menggunakan RDRAM adalah server.

DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)

•        Pada tahun 2000, DDR-SDRAM diperkenalkan.

•        memiliki clock speed yang sama dengan SDRAM yaitu 100 MHz, tetapi meskipun sama kecepatan pengantaran datanya jauh lebih besar DDR.

•        DDR dengan clock speed 100 MHz, data yang dihasilkan dapat mencapai 2,1 GB/det. Nilai inilah yang menjadi alasan mengapa DDR ini disebut DDR dengan tipe PC2100.

DDR-SDRAM

•        nilai yang dimiliki oleh DDR400 PC3200, yaitu 3,2 GB/det.

•        DDR dengan kecepatan tinggi tersebut sangat cocok digunakan untuk kebutuhan-kebutuhan para gamers dan untuk para pengguna yang sangat sering menggunakan sistem overclock.

•        Karena DDR dengan kecepatan tinggi ini mampu menangani pengoperasian yang membutuhkan panas tinggi, seperti penerapan overclocking.

 

DDR RAM (double data rate transfer)

•        Pada 1999 untuk menyelesaikan masalah meningkatkan memory bus ke 133 Mhz maka dibuatlah DDR RAM

•        Karena sekarang anda bisa menggunakan hanya 32 MB untuk mendapatkan kemampuan 64 MB

•        AMD adalah perusahaan pertama yang menggunakan DDR RAM pada motherboardnya

DDR2 SDRAM

•        Pada tahun 2004 di perkenalkanlah DDR2 SDRAM

•        DDR2 membutuhkan energi setengah lebih kecil dari energi yang dibutuhkan DDR biasa beroperasi, sehingga dapat mengurangi panas pada komputer.

•        DDR2 menggunakan clock speed awal sebesar 400 MHz

•        Nilai ini juga masih bisa di tingkatkan menjadi 800 MHz.

DDR2 SDRAM

•        DDR2 hanya membutuhkan tegangan sebesar 1,8 Volt.

•        Dengan DDR2, Anda dapat memiliki satu keeping 2 GB dan dipasangkan pada single bank module.

•        Dari segi ukuran, DDR2 juga masih lebih kecil dibandingkan DDR biasa.

•        DDR2 menggunakan teknologi koneksi yang dinamakan Ball Grid Array (BGA), yang belum digunakan pada DDR biasa.

•        Teknologi DDR2 ini tidak kompatibel dengan memori DDR

 

DDR3 RAM

•        Produknya sendiri benar-benar muncul pada pertengahan tahun 2007

•        Bersamaan dengan motherboard yang menggunakan chipset Intel P35 Bearlake dan pada motherboard tersebut sudah mendukung slot DIMM

•        DDR3 sudah menggunakan teknologi 90 nm

•        Konsusmsi daya yang diperlukan hanya 1.5v

•        mampu mentransfer data dengan clock efektif sebesar 800-1600 MHz.

•        Prototipe dari DDR3 yang memiliki 240 pin

MUSHKIN 1 GB XP2-6400 DDR2 DUAL PACK

•        RAM Berspesifikasi PC6400

•        RAM keluaran MUSHKIN (dikenal sebagai salah satu produsen RAM terbaik)  ini berjalan pada spesifikasi di atas PC5300.

•        spesifikasi teknis dari RAM ini adalah berjalan pada kecepatan 800 MHz, timing SPD 5-3-3-8, dan tegangan DIMM 1,8 volt.

MUSHKIN 1 GB XP2-6400 DDR2 DUAL PACK

•        RAM dengan kecepatan setinggi ini sangat cocok bagi Anda yang menggunakan prosesor yang haus bandwidth memori.

•        sebagian besar chipset terbaru untuk prosesor Intel (seperti chipset nForce 4 SLI Intel Edition dari NVIDIA dan chipset 955x dari Intel) sudah mendukung RAM dengan spesifikasi PC6400

•        Oleh karena itu, apabila Anda menggunakan RAM jenis ini, kinerjanya akan tetap optimal meskipun sistem berjalan secara asynchronous.

•        Digunakan untuk produk keluaran Apple

 

V-GEN DDR II 512 MB PC-5300

•        Kolaborasi Samsung dan V-GEN

•        RAM dari V-Gen ini diusung untuk berjalan di spesifikasi PC5300.

•        Saat ini, RAM yang berjalan pada kecepatan 667 MHz atau dikenal dengan sebutan PC5300, merupakan spesifikasi RAM tertinggi yang didukung secara native oleh chipset-chipset motherboard terbaru untuk Intel.

•        Harga dari RAM dengan spesifikasi PC5300 memiliki selisih sangat sedikit dengan RAM yang berjalan pada spesifikasi dibawahnya (PC4300).

KECOCOKAN RAM DENGAN SPEC KOMPUTER

•        Untuk memenuhi kebutuhan standar software, OS, dll, sangat disarankan menggunakan RAM 1 MB keatas.

•        Untuk programming dan database besar, pilih yang 4 - 8 GB.

•        Untuk desain grafis 8 - 32 GB.

•        Untuk pemakaian normal bisa memilih merk Kingston yang cukup compatible dengan banyak jenis motherboard.

KECOCOKAN RAM DENGAN SPEC KOMPUTER

•        Untuk performance dan overclock, bisa mengambil TeamXtreem, A-Data X-Series , Corsair dan RAM lain yang memang dibuat khusus untuk itu.

•        Chipset terbaik untuk keping RAM 128 – 512 MB adalah tccd, windbond, infeon, micron, dan hynix,

•        untuk 1 GB UCCC, Micron db-5, infeon CE6 dan yang terbaru buat overclock ada Chipset Elpida.

 

Daftar Pustaka

•        Chen, P.W., and Chung, D.D.L., 1987-1999, Concrete as a New Strain/Stress Sensor, Composites Part B 27B, 11-23.

•        Clarke, D.R., and Levi, C.G., 2000-2007, Materials Design for the Next Generation Thermal Barrier Coatings, Annual Reviews of Materials Research 33, 383- 417.

 

“ Terima kasih “